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| 零件編號 | SIE860DF-T1-GE3 |
|---|---|
| 製造商 | Vishay Siliconix |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK |
| 數據表 | |
| 封裝 | 10-PolarPAK? (M) |
| ECAD |
|
| 庫存 | 5,520 piece(s) |
| 單價 | Request a Quote |
| 交貨期 | 待確認 |
| 預計送達時間 | 五月 23 - 五月 28 (選擇速遞服務) |
| 請求報價 |
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| 支付方式 | |
| 送貨服務 |
| 製造商 | Vishay Siliconix |
| 類別 | 離散半導體產品 - 電晶體 - FET、MOSFET - 單 |
| 封裝 | 10-PolarPAK? (M) |
| ECAD |
|
| 系列 | TrenchFET? |
| FET類型 | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏極到源極電壓（Vdss） | 30V |
| 電流 - 連續漏極（Id）@ 25°C | 60A (Tc) |
| 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 2.5V @ 250µA |
| 柵極電荷（Qg）（最大值）@Vgs | 105nC @ 10V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 4500pF @ 15V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 5.2W (Ta), 104W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 2.1 mOhm @ 21.7A, 10V |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 供應商設備包 | 10-PolarPAK? (M) |
| 包/箱 | 10-PolarPAK? (M) |
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RC1005F1400CS | Samsung, RES SMD 140 OHM 1% 1/16W 0402, 0402 (1005 Metric), TrenchFET? | 查看 |
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| 零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
SIE860DF-T1-GE3 D# SIE860DF-T1-GE3 |
Vishay Intertechnologies |
(Alt: SIE860DF-T1-GE3) |
0 |
| 零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
SIE860DF-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK |
0 |
| 零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
SIE860DF-T1-GE3 D# SIE860DF-T1-GE3TR-ND |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK |
0 |
| 零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
SIE860DFT1GE3 |
Vishay Intertechnologies |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
3570 |
| 零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
SIE860DF-T1-GE3 D# NS-SIE860DF-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
6025 |
| 零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
SIE860DFT1GE3 |
Vishay Siliconix |
OEM/CM ONLY |
3095 |
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