| 零件編號 | SPB80N06S2L-H5 |
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| 製造商 | Infineon Technologies |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK |
| 數據表 | |
| 封裝 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| 庫存 | 12,252 piece(s) |
| 單價 | Request a Quote |
| 交貨期 | 可立即發貨 |
| 預計送達時間 | 五月 1 - 五月 6 (選擇速遞服務) |
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| 送貨服務 |
| 製造商 | Infineon Technologies |
| 類別 | 離散半導體產品 - 電晶體 - FET、MOSFET - 單 |
| 封裝 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ECAD |
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| 系列 | OptiMOS? |
| FET類型 | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏極到源極電壓（Vdss） | 55V |
| 電流 - 連續漏極（Id）@ 25°C | 80A (Tc) |
| 驅動電壓（Max Rds On，Min Rds On） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@Id | 2V @ 230µA |
| 柵極電荷（Qg）（最大值）@Vgs | 190nC @ 10V |
| 輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds | 6640pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET功能 | - |
| 功耗（最大值） | 300W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id，Vgs | 5 mOhm @ 80A, 10V |
| 工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安裝類型 | Surface Mount |
| 供應商設備包 | PG-TO263-3-2 |
| 包/箱 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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| 零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
SPB80N06S2L-H5 |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK |
0 |
| 零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
SPB80N06S2L-H5 D# SPB80N06S2L-H5-ND |
Infineon Technologies AG |
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3 |
0 |
| 零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
SPB80N06S2L-H5 |
Infineon Technologies AG |
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20260 |
| 零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
SPB80N06S2LH5 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM QUOTES ONLY | NO BROKERS |
15232 |
| 零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
SPB80N06S2L-H5 D# NS-SPB80N06S2L-H5 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
9948 |
| 零件編號 | 製造商 | 描述 | 庫存 |
SPB80N06S2LH5 |
Infineon Technologies AG |
OEM/CM ONLY |
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